这种称之为“Rowhammer”的攻击起源于过去十多年中将更多的 DRAM（动态随机存取存储器）容量封装进越来越小的芯片中，这将导致在特定情况下存储单元电子可以从相邻两行row的一边泄漏到另一边。
2017-05-20 08:32 Lucian Constantin, wcnnbdk1
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